De Haas-van Alphen effect in CeIn3 under pressure

Rikio Settai, Tetsuo Kubo, Hiroaki Shishido, Tatsuo C. Kobayashi, Yoshichika Onuki

研究成果査読

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抄録

We have investigated a change of the electronic state in CeIn3 via de Haas-van Alphen (dHvA) experiments under pressure up to 2.72 GPa for the magnetic field along 〈110〉. A main Fermi surface with the dHvA frequency F=9.4×107 Oe and a large cyclotron mass mc*=53m0 was observed at 2.72 GPa in the vicinity of the critical pressure where the Néel temperature is suppressed to zero.

本文言語English
ページ(範囲)317-319
ページ数3
ジャーナルPhysica B: Condensed Matter
359-361
SPEC. ISS.
DOI
出版ステータスPublished - 4月 30 2005

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 凝縮系物理学
  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「De Haas-van Alphen effect in CeIn3 under pressure」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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